本书介绍了高亮度半导体激光器的主要应用领域和研究进展，从影响大功率输出和高光束质量的因素入手，通过外延层的理论设计、生长、后工艺、封装等方面改善器件整体的功率输出特性。其中，在外延方面，涉及外延结构中光腔的设计至关重要，可通过光腔的合理设计和生长改善器件垂直（快轴）方向发散角、降低腔面的功率密度，实现大功率输出。本书还较详细地介绍了使用MBE和MOCVD系统外延生长相关材料需要考虑的因素和相关外延材料的生长测试结果，旨在通过以上全方位的器件性能改进和优化，最终为读者和本领域从业人员设计和制备高亮度半导体激光器提供了有意义的参考。
